本文用两种波长不同的激光——Ar 激光和CO2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶......

采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡......

研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进......

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺......

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流......

随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破......

论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域......

随着光通信的迅速发展,耦合器件在光通信系统中的应用愈加广泛,对于高性能耦合器件的研究也显得尤为重要。耦合器在集成光学领域通......

本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进......